IPP100N06S3L-04 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPP100N06S3L-04

IPP100N06S3L-04

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.2V @ 150µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO220-3-1
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	3.8 mOhm @ 80A, 10V
功率耗散（最大）:	214W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-220-3
其他名稱:	IPP100N06S3L-04-ND IPP100N06S3L-04IN IPP100N06S3L04X IPP100N06S3L04XK SP000102209
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IPP100N06S3L-04
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	17270pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	362nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
漏極至源極電壓（Vdss）:	55V
描述:	MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
電流 - 25°C連續排水（Id）:	100A (Tc)
Email:	[email protected]