IPP076N12N3 G
IPP076N12N3 G
型號:
IPP076N12N3 G
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16320 Pieces
數據表:
IPP076N12N3 G.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 130µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO-220-3
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:7.6 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散(最大):188W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
其他名稱:IPP076N12N3G
IPP076N12N3GXKSA1
SP000652736
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:12 Weeks
製造商零件編號:IPP076N12N3 G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:6640pF @ 60V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:101nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 120V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):120V
描述:MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
電流 - 25°C連續排水(Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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