IPL60R199CP - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPL60R199CP

IPL60R199CP

簡單介紹

BYCHIPS是 IPL60R199CP的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的IPL60R199CP購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 IPL60R199CP與BYCHPS

購買即有保證

VGS（TH）（最大）@標識:	3.5V @ 660µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-VSON-4
系列:	CoolMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	199 mOhm @ 9.9A, 10V
功率耗散（最大）:	139W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	4-PowerTSFN
其他名稱:	IPL60R199CP-ND IPL60R199CPAUMA1 SP000841892
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	3 (168 Hours)
製造商標準交貨期:	8 Weeks
製造商零件編號:	IPL60R199CP
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1520pF @ 100V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	32nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 650V 16.4A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	650V
描述:	MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
電流 - 25°C連續排水（Id）:	16.4A (Tc)
Email:	[email protected]