IPI120N06S4H1AKSA1
IPI120N06S4H1AKSA1
型號:
IPI120N06S4H1AKSA1
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12812 Pieces
數據表:
IPI120N06S4H1AKSA1.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 200µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO262-3-1
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.4 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散(最大):250W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
其他名稱:IPI120N06S4-H1
IPI120N06S4-H1-ND
SP000415620
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:IPI120N06S4H1AKSA1
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:21900pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:270nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
電流 - 25°C連續排水(Id):120A (Tc)
Email:[email protected]

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