IPD320N20N3GBTMA1
IPD320N20N3GBTMA1
型號:
IPD320N20N3GBTMA1
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16015 Pieces
數據表:
IPD320N20N3GBTMA1.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 90µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO252-3
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:32 mOhm @ 34A, 10V
功率耗散(最大):136W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3 GCT-ND
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:IPD320N20N3GBTMA1
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2350pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:29nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 200V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
漏極至源極電壓(Vdss):200V
描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
電流 - 25°C連續排水(Id):34A (Tc)
Email:[email protected]

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