購買 IPD09N03LB G與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2V @ 20µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-TO252-3 |
系列: | OptiMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 9.1 mOhm @ 50A, 10V |
功率耗散(最大): | 58W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | IPD09N03LBGXT SP000016412 |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造商零件編號: | IPD09N03LB G |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1600pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 13nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |