IPB180N06S4H1ATMA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 200µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO263-7-3
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1.7 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散（最大）:	250W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
其他名稱:	IPB180N06S4-H1 IPB180N06S4-H1-ND SP000415562
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IPB180N06S4H1ATMA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	21900pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	270nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 60V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
漏極至源極電壓（Vdss）:	60V
描述:	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
電流 - 25°C連續排水（Id）:	180A (Tc)
Email:	[email protected]