IPB100N06S2L05ATMA1 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IPB100N06S2L05ATMA1

IPB100N06S2L05ATMA1

簡單介紹

BYCHIPS是 IPB100N06S2L05ATMA1的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的IPB100N06S2L05ATMA1購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 IPB100N06S2L05ATMA1與BYCHPS

購買即有保證

VGS（TH）（最大）@標識:	2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO263-3-2
系列:	OptiMOS™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	4.4 mOhm @ 80A, 10V
功率耗散（最大）:	300W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:	IPB100N06S2L-05 IPB100N06S2L-05-ND SP000219003
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IPB100N06S2L05ATMA1
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	5660pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	230nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 55V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
漏極至源極電壓（Vdss）:	55V
描述:	MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
電流 - 25°C連續排水（Id）:	100A (Tc)
Email:	[email protected]