IPB072N15N3GE8187ATMA1
IPB072N15N3GE8187ATMA1
型號:
IPB072N15N3GE8187ATMA1
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17847 Pieces
數據表:
IPB072N15N3GE8187ATMA1.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 270µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TO263-3-2
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:7.2 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散(最大):300W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:IPB072N15N3 G E8187
IPB072N15N3 G E8187-ND
IPB072N15N3 G E8187TR-ND
SP000938816
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:IPB072N15N3GE8187ATMA1
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:5470pF @ 75V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:93nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
漏極至源極電壓(Vdss):150V
描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
電流 - 25°C連續排水(Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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