購買 IMD14T108與BYCHPS
購買即有保證
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
---|---|
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 5mA, 100mA |
晶體管類型: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝: | SMT6 |
系列: | - |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | 10k |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 220 |
功率 - 最大: | 300mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SC-74, SOT-457 |
其他名稱: | IMD14T108-ND IMD14T108TR |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IMD14T108 |
頻率 - 轉換: | 250MHz |
展開說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
描述: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 82 @ 100mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 500mA |
Email: | [email protected] |