購買 IMB4AT110與BYCHPS
購買即有保證
		| 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V | 
|---|---|
| Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 1mA, 10mA | 
| 晶體管類型: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | 
| 供應商設備封裝: | SMT6 | 
| 系列: | - | 
| 電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | - | 
| 電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 10k | 
| 功率 - 最大: | 300mW | 
| 封装: | Tape & Reel (TR) | 
| 封裝/箱體: | SC-74, SOT-457 | 
| 其他名稱: | IMB4AT110-ND  IMB4AT110TR  | 
| 安裝類型: | Surface Mount | 
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) | 
| 製造商零件編號: | IMB4AT110 | 
| 頻率 - 轉換: | 250MHz | 
| 展開說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 | 
| 描述: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | 
| 直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 100 @ 1mA, 5V | 
| 電流 - 集電極截止(最大): | - | 
| 電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA | 
| Email: | [email protected] |