HN4C06J-BL(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage - 晶體管 - 雙極（BJT） - 陣列 HN4C06J-BL(TE85L,F

HN4C06J-BL(TE85L,F

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	120V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	300mV @ 1mA, 10mA
晶體管類型:	2 NPN (Dual) Common Emitter
供應商設備封裝:	SMV
系列:	-
功率 - 最大:	300mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SC-74A, SOT-753
其他名稱:	HN4C06J-BL(TE85LFTR
工作溫度:	150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
製造商標準交貨期:	14 Weeks
製造商零件編號:	HN4C06J-BL(TE85L,F
頻率 - 轉換:	100MHz
展開說明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
描述:	TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	200 @ 2mA, 6V
電流 - 集電極截止（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA
Email:	[email protected]