HN4A06J(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - 晶體管 - 雙極（BJT） - 陣列 HN4A06J(TE85L,F)

HN4A06J(TE85L,F)

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	120V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	300mV @ 1mA, 10mA
晶體管類型:	2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
供應商設備封裝:	SMV
系列:	-
功率 - 最大:	300mW
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	SC-74A, SOT-753
其他名稱:	HN4A06J(TE85LF)DKR
工作溫度:	150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	HN4A06J(TE85L,F)
頻率 - 轉換:	100MHz
展開說明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
描述:	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	200 @ 2mA, 6V
電流 - 集電極截止（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA
Email:	[email protected]

圖片	型號	製造商	描述	查看
	BC856S,125	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP	在線詢價
	HN2A01FE-GR(TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6	在線詢價