HN1B01FU-Y(L,F,T)
HN1B01FU-Y(L,F,T)
型號:
HN1B01FU-Y(L,F,T)
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18218 Pieces
數據表:
HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
Vce飽和(最大)@ IB,IC:300mV @ 10mA, 100mA
晶體管類型:NPN, PNP
供應商設備封裝:US6
系列:-
功率 - 最大:200mW
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名稱:HN1B01FU-Y(LFT)CT
工作溫度:125°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:HN1B01FU-Y(L,F,T)
頻率 - 轉換:120MHz
展開說明:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
描述:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:120 @ 2mA, 6V
電流 - 集電極截止(最大):100nA (ICBO)
電流 - 集電極(Ic)(最大):150mA
Email:[email protected]

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