HGTD1N120BNS9A - Fairchild/ON Semiconductor - 晶體管 - IGBT - 單 HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	1200V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.9V @ 15V, 1A
測試條件:	960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	15ns/67ns
開關能量:	70µJ (on), 90µJ (off)
供應商設備封裝:	TO-252AA
系列:	-
功率 - 最大:	60W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:	HGTD1N120BNS9A-ND HGTD1N120BNS9ATR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	6 Weeks
製造商零件編號:	HGTD1N120BNS9A
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	NPT
柵極電荷:	14nC
展開說明:	IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA
描述:	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	6A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	5.3A
Email:	[email protected]