HGT1S2N120CN
型號:
HGT1S2N120CN
製造商:
Fairchild/ON Semiconductor
描述:
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13596 Pieces
數據表:
HGT1S2N120CN.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.4V @ 15V, 2.6A
測試條件:960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:25ns/205ns
開關能量:96µJ (on), 355µJ (off)
供應商設備封裝:TO-262
系列:-
功率 - 最大:104W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:HGT1S2N120CN
輸入類型:Standard
IGBT類型:NPT
柵極電荷:30nC
展開說明:IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-262
描述:IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
電流 - 集電極脈衝(ICM):20A
電流 - 集電極(Ic)(最大):13A
Email:[email protected]

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