HBDM60V600W-7 - Diodes Incorporated - 晶體管 - 雙極（BJT） - 陣列 HBDM60V600W-7

HBDM60V600W-7

簡單介紹

BYCHIPS是 HBDM60V600W-7的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的HBDM60V600W-7購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 HBDM60V600W-7與BYCHPS

購買即有保證

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	65V, 60V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
晶體管類型:	NPN, PNP
供應商設備封裝:	SOT-363
系列:	-
功率 - 最大:	200mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名稱:	HBDM60V600W7 HBDM60V600WDITR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	8 Weeks
製造商零件編號:	HBDM60V600W-7
頻率 - 轉換:	100MHz
展開說明:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
描述:	TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
電流 - 集電極截止（最大）:	100nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	500mA, 600mA
Email:	[email protected]