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GT60N321(Q)
型號:
GT60N321(Q)
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17375 Pieces
數據表:
GT60N321(Q).pdf
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簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1000V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:2.8V @ 15V, 60A
測試條件:-
Td（開/關）@ 25°C:330ns/700ns
開關能量:-
供應商設備封裝:TO-3P(LH)
系列:-
反向恢復時間（trr）:2.5µs
功率 - 最大:170W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-3PL
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度（MSL）:1 (Unlimited)
製造商零件編號:GT60N321(Q)
輸入類型:Standard
IGBT類型:-
展開說明:IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH)
描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
電流 - 集電極脈衝（ICM）:120A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:60A
Email:[email protected]

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