GT50J121(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage - 晶體管 - IGBT - 單 GT50J121(Q) - BYCHIPS

GT50J121(Q)

型號:: GT50J121(Q)

製造商:: Toshiba Semiconductor

描述:: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 15217 Pieces

數據表:: GT50J121(Q).pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.45V @ 15V, 50A
測試條件:	300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	90ns/300ns
開關能量:	1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
供應商設備封裝:	TO-3P(LH)
系列:	-
功率 - 最大:	240W
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-3PL
工作溫度:	150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	GT50J121(Q)
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	-
展開說明:	IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH)
描述:	IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	100A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	50A
Email:	[email protected]

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