GT10J312(Q)
型號:
GT10J312(Q)
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
19834 Pieces
數據表:
GT10J312(Q).pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.7V @ 15V, 10A
測試條件:300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:400ns/400ns
開關能量:-
供應商設備封裝:TO-220SM
系列:-
反向恢復時間(trr):200ns
功率 - 最大:60W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:GT10J312(Q)
輸入類型:Standard
IGBT類型:-
展開說明:IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM
描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM
電流 - 集電極脈衝(ICM):20A
電流 - 集電極(Ic)(最大):10A
Email:[email protected]

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