GT10G131(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage - 晶體管 - IGBT - 單 GT10G131(TE12L,Q) - BYCHIPS

GT10G131(TE12L,Q)

型號:: GT10G131(TE12L,Q)

製造商:: Toshiba Semiconductor

描述:: IGBT 400V 1W 8-SOIC

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 19039 Pieces

數據表:: GT10G131(TE12L,Q).pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	400V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.3V @ 4V, 200A
測試條件:	-
Td（開/關）@ 25°C:	3.1µs/2µs
開關能量:	-
供應商設備封裝:	8-SOP (5.5x6.0)
系列:	-
功率 - 最大:	1W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
工作溫度:	150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	GT10G131(TE12L,Q)
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	-
展開說明:	IGBT 400V 1W Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
描述:	IGBT 400V 1W 8-SOIC
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	200A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	-
Email:	[email protected]

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圖片	型號	製造商	描述	查看
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