購買 GP1M010A080N與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-3PN |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.05 Ohm @ 5A, 10V |
功率耗散(最大): | 312W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-3P-3, SC-65-3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | GP1M010A080N |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2336pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 53nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 900V 10A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN |
漏極至源極電壓(Vdss): | 900V |
描述: | MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |