GP1M009A020PG
GP1M009A020PG
型號:
GP1M009A020PG
製造商:
Global Power Technologies Group
描述:
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12381 Pieces
數據表:
GP1M009A020PG.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 GP1M009A020PG的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的GP1M009A020PG購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 GP1M009A020PG與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I-Pak
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:400 mOhm @ 4.5A, 10V
功率耗散(最大):52W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:GP1M009A020PG
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:414pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:8.6nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-Pak
漏極至源極電壓(Vdss):200V
描述:MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):9A (Tc)
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求