購買 GA50JT06-258與BYCHPS
購買即有保證
| VGS(TH)(最大)@標識: | - |
|---|---|
| 技術: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 供應商設備封裝: | TO-258 |
| 系列: | - |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 25 mOhm @ 50A |
| 功率耗散(最大): | 769W (Tc) |
| 封装: | Bulk |
| 封裝/箱體: | TO-258-3, TO-258AA |
| 其他名稱: | 1242-1253 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
| 製造商零件編號: | GA50JT06-258 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | - |
| FET型: | - |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | 600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 描述: | TRANS SJT 600V 100A |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |