購買 GA50JT06-258與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | - |
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技術: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
供應商設備封裝: | TO-258 |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 25 mOhm @ 50A |
功率耗散(最大): | 769W (Tc) |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | TO-258-3, TO-258AA |
其他名稱: | 1242-1253 |
工作溫度: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
製造商零件編號: | GA50JT06-258 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | - |
FET型: | - |
FET特點: | - |
展開說明: | 600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
描述: | TRANS SJT 600V 100A |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |