FQD20N06LTM - Fairchild/ON Semiconductor - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 FQD20N06LTM

FQD20N06LTM

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	D-Pak
系列:	QFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	60 mOhm @ 8.6A, 10V
功率耗散（最大）:	2.5W (Ta), 38W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	FQD20N06LTM
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	630pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	13nC @ 5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 60V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount D-Pak
漏極至源極電壓（Vdss）:	60V
描述:	MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	17.2A (Tc)
Email:	[email protected]