FIO50-12BD - IXYS - 晶體管 - IGBT - 單 FIO50-12BD

FIO50-12BD

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	1200V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.6V @ 15V, 30A
測試條件:	600V, 30A, 39 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	-
開關能量:	4.6mJ (on), 2.2mJ (off)
供應商設備封裝:	ISOPLUS i4-PAC™
系列:	-
反向恢復時間（trr）:	150ns
功率 - 最大:	200W
封装:	Tube
封裝/箱體:	i4-Pac™-5
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	FIO50-12BD
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	NPT
柵極電荷:	150nC
展開說明:	IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
描述:	IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	-
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	50A
Email:	[email protected]