FGD3N60UNDF - Fairchild/ON Semiconductor - 晶體管 - IGBT - 單 FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.52V @ 15V, 3A
測試條件:	400V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	5.5ns/22ns
開關能量:	52µJ (on), 30µJ (off)
供應商設備封裝:	TO-252, (D-Pak)
系列:	-
反向恢復時間（trr）:	21ns
功率 - 最大:	60W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:	FGD3N60UNDFTR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	35 Weeks
製造商零件編號:	FGD3N60UNDF
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	NPT
柵極電荷:	1.6nC
展開說明:	IGBT NPT 600V 6A 60W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
描述:	IGBT 600V 6A 60W DPAK
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	9A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	6A
Email:	[email protected]