FDFMA2P853T - Fairchild/ON Semiconductor - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 FDFMA2P853T

FDFMA2P853T

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1.3V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	MicroFET 2x2 Thin
系列:	PowerTrench®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	120 mOhm @ 3A, 4.5V
功率耗散（最大）:	1.4W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	6-UDFN Exposed Pad
其他名稱:	FDFMA2P853T-ND FDFMA2P853TTR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	FDFMA2P853T
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	435pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	6nC @ 4.5V
FET型:	P-Channel
FET特點:	Schottky Diode (Isolated)
展開說明:	P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
描述:	MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
電流 - 25°C連續排水（Id）:	3A (Ta)
Email:	[email protected]