購買 ES6U1T2R與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 1mA |
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Vgs(最大): | ±10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 6-WEMT |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 700mW (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SOT-563, SOT-666 |
其他名稱: | ES6U1T2RTR |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 10 Weeks |
製造商零件編號: | ES6U1T2R |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 290pF @ 6V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | Schottky Diode (Isolated) |
展開說明: | P-Channel 12V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 1.5V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 12V |
描述: | MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 1.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |