EMD9T2R - Rohm Semiconductor - 晶體管 - 雙極（BJT） - 陣列，預偏置 EMD9T2R

EMD9T2R

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	300mV @ 250µA, 5mA
晶體管類型:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:	EMT6
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	47k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	10k
功率 - 最大:	150mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-563, SOT-666
其他名稱:	EMD9T2R-ND EMD9T2RTR
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	10 Weeks
製造商零件編號:	EMD9T2R
頻率 - 轉換:	250MHz
展開說明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
描述:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	68 @ 5mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA
Email:	[email protected]

圖片	型號	製造商	描述	查看
	DCX114YU-7	Diodes Incorporated	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363	在線詢價
	NSTB1002DXV5T1G	ON Semiconductor	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55	在線詢價