DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7
型號:
DMG8601UFG-7
製造商:
Diodes Incorporated
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17870 Pieces
數據表:
DMG8601UFG-7.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1.05V @ 250µA
供應商設備封裝:U-DFN3030-8
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
功率 - 最大:920mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerUDFN
其他名稱:DMG8601UFG-7DITR
DMG8601UFG7
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:DMG8601UFG-7
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:143pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:8.8nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
電流 - 25°C連續排水(Id):6.1A
Email:[email protected]

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