DMG4N60SJ3
型號:
DMG4N60SJ3
製造商:
Diodes Incorporated
描述:
MOSFET NCH 600V 3A TO251
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15367 Pieces
數據表:
DMG4N60SJ3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4.5V @ 250µA
供應商設備封裝:TO-251
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.5 Ohm @ 2A, 10V
功率 - 最大:41W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:8 Weeks
製造商零件編號:DMG4N60SJ3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:532pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:14.3nC @ 10V
FET型:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點:Standard
展開說明:Mosfet Array MOSFET N-Channel, Metal Oxide 600V 3A (Tc) 41W Through Hole TO-251
漏極至源極電壓(Vdss):600V
描述:MOSFET NCH 600V 3A TO251
電流 - 25°C連續排水(Id):3A (Tc)
Email:[email protected]

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