CSD23202W10T - Texas Instruments - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 CSD23202W10T

CSD23202W10T

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	900mV @ 250µA
Vgs（最大）:	-6V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	4-DSBGA (1x1)
系列:	NexFET™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	53 mOhm @ 500mA, 4.5V
功率耗散（最大）:	1W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	4-UFBGA, DSBGA
其他名稱:	296-38338-2
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	6 Weeks
製造商零件編號:	CSD23202W10T
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	512pF @ 6V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	3.8nC @ 4.5V
FET型:	P-Channel
FET特點:	-
展開說明:	P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	1.5V, 4.5V
漏極至源極電壓（Vdss）:	12V
描述:	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
電流 - 25°C連續排水（Id）:	2.2A (Ta)
Email:	[email protected]