CSD19538Q2T - Texas Instruments - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 CSD19538Q2T

CSD19538Q2T

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3.8V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	6-WSON (2x2)
系列:	NexFET™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	59 mOhm @ 5A, 10V
功率耗散（最大）:	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	6-WDFN Exposed Pad
其他名稱:	296-44612-2
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	20 Weeks
製造商零件編號:	CSD19538Q2T
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	454pF @ 50V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	5.6nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 100V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	6V, 10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	100V
描述:	MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
電流 - 25°C連續排水（Id）:	13.1A (Tc)
Email:	[email protected]