購買 CPMF-1200-S080B與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 1mA |
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Vgs(最大): | +25V, -5V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝: | Die |
系列: | Z-FET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
功率耗散(最大): | 313mW (Tj) |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | Die |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | CPMF-1200-S080B |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1915pF @ 800V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 20V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1200V (1.2kV) |
描述: | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 50A (Tj) |
Email: | [email protected] |