CDM22010-650 SL - Central Semiconductor Corp - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 CDM22010-650 SL

CDM22010-650 SL

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TO-220
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1 Ohm @ 5A, 10V
功率耗散（最大）:	2W (Ta), 156W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-220-3
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	12 Weeks
製造商零件編號:	CDM22010-650 SL
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1168pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	20nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 650V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	650V
描述:	MOSFET N-CH 10A 650V TO220
電流 - 25°C連續排水（Id）:	10A (Ta)
Email:	[email protected]