購買 C2M0045170D與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 18mA |
|---|---|
| Vgs(最大): | +25V, -10V |
| 技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 供應商設備封裝: | TO-247-3 |
| 系列: | C2M™ |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 70 mOhm @ 50A, 20V |
| 功率耗散(最大): | 520W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-247-3 |
| 工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 製造商零件編號: | C2M0045170D |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3672pF @ 1kV |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 188nC @ 20V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 1700V (1.7kV) 72A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 20V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1700V (1.7kV) |
| 描述: | MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 72A (Tc) |
| Email: | [email protected] |