購買 C2M0045170D與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 18mA |
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Vgs(最大): | +25V, -10V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝: | TO-247-3 |
系列: | C2M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 70 mOhm @ 50A, 20V |
功率耗散(最大): | 520W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-247-3 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
製造商零件編號: | C2M0045170D |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3672pF @ 1kV |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 188nC @ 20V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 1700V (1.7kV) 72A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 20V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1700V (1.7kV) |
描述: | MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 72A (Tc) |
Email: | [email protected] |