BTS282Z E3180A - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 BTS282Z E3180A

BTS282Z E3180A

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2V @ 240µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PG-TO220-7-180
系列:	TEMPFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	6.5 mOhm @ 36A, 10V
功率耗散（最大）:	300W (Tc)
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
其他名稱:	BTS282ZE3180AINDKR
工作溫度:	-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	BTS282Z E3180A
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	4800pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	232nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	Temperature Sensing Diode
展開說明:	N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO220-7-180
漏極至源極電壓（Vdss）:	49V
描述:	MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
電流 - 25°C連續排水（Id）:	80A (Tc)
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
BTS282ZAKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7	在線詢價
IRFR9010PBF	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK	在線詢價
IPW65R190C6FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247	在線詢價
BTS282ZE3180AATMA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7	在線詢價
BSC034N03LSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8	在線詢價
SSM3J56MFV,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM	在線詢價
TPN30008NH,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON	在線詢價
MCH3477-TL-W	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3	在線詢價
STF13NM60ND	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP	在線詢價
BTS282Z E3230	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7	在線詢價
BTS282ZE3230AKSA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7	在線詢價
R6015ANJTL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS	在線詢價