BSC196N10NSGATMA1
BSC196N10NSGATMA1
型號:
BSC196N10NSGATMA1
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13365 Pieces
數據表:
BSC196N10NSGATMA1.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 42µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PG-TDSON-8
系列:OptiMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:19.6 mOhm @ 45A, 10V
功率耗散(最大):78W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerTDFN
其他名稱:BSC196N10NS G
BSC196N10NS G-ND
BSC196N10NS GTR-ND
BSC196N10NSG
SP000379604
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
製造商零件編號:BSC196N10NSGATMA1
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2300pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:34nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 100V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
電流 - 25°C連續排水(Id):8.5A (Ta), 45A (Tc)
Email:[email protected]

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