購買 BSC159N10LSF G與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.4V @ 72µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-TDSON-8 |
系列: | OptiMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 15.9 mOhm @ 50A, 10V |
功率耗散(最大): | 114W (Tc) |
封装: | Original-Reel® |
封裝/箱體: | 8-PowerTDFN |
其他名稱: | BSC159N10LSF GDKR BSC159N10LSF GDKR-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | BSC159N10LSF G |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2500pF @ 50V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 35nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 100V 9.4A (Ta), 63A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
描述: | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 9.4A (Ta), 63A (Tc) |
Email: | [email protected] |