BGB 540 E6327 - Infineon Technologies - 晶體管 - 雙極（BJT） - 射頻 BGB 540 E6327

BGB 540 E6327

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	3.5V
晶體管類型:	NPN
供應商設備封裝:	PG-SOT343-4
系列:	-
功率 - 最大:	120mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SC-82A, SOT-343
其他名稱:	BGB540E6327XT SP000013194
工作溫度:	150°C (TJ)
噪聲係數（dB典型值@頻率）:	1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	BGB 540 E6327
獲得:	16dB ~ 17.5dB
頻率 - 轉換:	-
展開說明:	RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
描述:	TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	-
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	30mA
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
UTV200	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 80W 4.5A 55JV2	在線詢價
AT-41535G	Broadcom Limited	TRANSISTOR NPN BIPOLAR 35MICRO-X	在線詢價
AT-30511-TR2G	Broadcom Limited	TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-143	在線詢價
MS1512	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN M122	在線詢價
2SC5006-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	在線詢價