購買 APT66F60B2與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 5V @ 2.5mA |
---|---|
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | T-MAX™ [B2] |
系列: | POWER MOS 8™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 90 mOhm @ 33A, 10V |
功率耗散(最大): | 1135W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-247-3 Variant |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 22 Weeks |
製造商零件編號: | APT66F60B2 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 13190pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 330nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
描述: | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |