APT65GP60B2G - Microsemi Corporation - 晶體管 - IGBT - 單 APT65GP60B2G - BYCHIPS

APT65GP60B2G

型號:: APT65GP60B2G

製造商:: Microsemi

描述:: IGBT 600V 100A 833W TMAX

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 16613 Pieces

數據表:: APT65GP60B2G.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.7V @ 15V, 65A
測試條件:	400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	30ns/91ns
開關能量:	605µJ (on), 896µJ (off)
系列:	POWER MOS 7®
功率 - 最大:	833W
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-247-3 Variant
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	APT65GP60B2G
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	PT
柵極電荷:	210nC
展開說明:	IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
描述:	IGBT 600V 100A 833W TMAX
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	250A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100A
Email:	[email protected]

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圖片	型號	製造商	描述	查看
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