APT50GP60B2DQ2G
APT50GP60B2DQ2G
型號:
APT50GP60B2DQ2G
製造商:
Microsemi
描述:
IGBT 600V 150A 625W TMAX
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
19408 Pieces
數據表:
APT50GP60B2DQ2G.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 APT50GP60B2DQ2G的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的APT50GP60B2DQ2G購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 APT50GP60B2DQ2G與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.7V @ 15V, 50A
測試條件:400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:19ns/85ns
開關能量:465µJ (on), 635µJ (off)
系列:POWER MOS 7®
功率 - 最大:625W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-247-3 Variant
其他名稱:APT50GP60B2DQ2GMI
APT50GP60B2DQ2GMI-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:APT50GP60B2DQ2G
輸入類型:Standard
IGBT類型:PT
柵極電荷:165nC
展開說明:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
描述:IGBT 600V 150A 625W TMAX
電流 - 集電極脈衝(ICM):190A
電流 - 集電極(Ic)(最大):150A
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求