55GN01CA-TB-E - ON Semiconductor - 晶體管 - 雙極（BJT） - 射頻 55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	10V
晶體管類型:	NPN
供應商設備封裝:	3-CP
系列:	-
功率 - 最大:	200mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:	55GN01CA-TB-E-ND 55GN01CA-TB-EOSTR
工作溫度:	150°C (TJ)
噪聲係數（dB典型值@頻率）:	1.9dB @ 1GHz
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	7 Weeks
製造商零件編號:	55GN01CA-TB-E
獲得:	9.5dB
頻率 - 轉換:	4.5GHz
展開說明:	RF Transistor NPN 10V 70mA 4.5GHz 200mW Surface Mount 3-CP
描述:	TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	100 @ 10mA, 5V
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	70mA
Email:	[email protected]