2SK3666-2-TB-E - ON Semiconductor - 晶體管 - JFET 2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

簡單介紹

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電壓 - 截止（VGS關閉）@標識:	180mV @ 1µA
供應商設備封裝:	3-CP
系列:	-
電阻 - RDS（ON）:	200 Ohm
功率 - 最大:	200mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:	2SK3666-2-TB-E-ND 2SK3666-2-TB-EOSTR
工作溫度:	150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	4 Weeks
製造商零件編號:	2SK3666-2-TB-E
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	4pF @ 10V
FET型:	N-Channel
展開說明:	JFET N-Channel 600µA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	JFET NCH 30V 200MW 3CP
漏極電流（ID） - 最大:	10mA
電流 - 漏極（範圍Idss）@ Vds的（VGS = 0）:	600µA @ 10V
Email:	[email protected]