2SK1119(F)
型號:
2SK1119(F)
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12200 Pieces
數據表:
1.2SK1119(F).pdf2.2SK1119(F).pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3.5V @ 1mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-220AB
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:3.8 Ohm @ 2A, 10V
功率耗散(最大):100W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:2SK1119(F)
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:700pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:60nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
漏極至源極電壓(Vdss):1000V (1kV)
描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
電流 - 25°C連續排水(Id):4A (Ta)
Email:[email protected]

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