2SJ661-1E
型號:
2SJ661-1E
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 60V 38A
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18259 Pieces
數據表:
2SJ661-1E.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:-
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-262-3
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:39 mOhm @ 19A, 10V
功率耗散(最大):1.65W (Ta), 65W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:4 Weeks
製造商零件編號:2SJ661-1E
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:4360pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:80nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 60V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Through Hole TO-262-3
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET P-CH 60V 38A
電流 - 25°C連續排水(Id):38A (Ta)
Email:[email protected]

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