購買 2SJ652-1E與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | - |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-220F-3SG |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 38 mOhm @ 14A, 10V |
功率耗散(最大): | 2W (Ta), 30W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-220-3 Full Pack |
其他名稱: | 2SJ652-1E-ND 2SJ652-1EOS |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 6 Weeks |
製造商零件編號: | 2SJ652-1E |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 4360pF @ 20V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 80nC @ 10V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 60V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 28A (Ta) |
Email: | [email protected] |