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2SA965-O(TE6,F,M)
2SA965-O(TE6,F,M)
型號:
2SA965-O(TE6,F,M)
製造商:
Toshiba Semiconductor
描述:
TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17937 Pieces
數據表:
2SA965-O(TE6,F,M).pdf
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簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:120V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:1V @ 50mA, 500mA
晶體管類型:PNP
供應商設備封裝:LSTM
系列:-
功率 - 最大:900mW
封装:Bulk
封裝/箱體:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
其他名稱:2SA965-O(TE6FM)
2SA965OTE6FM
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度（MSL）:1 (Unlimited)
製造商零件編號:2SA965-O(TE6,F,M)
頻率 - 轉換:120MHz
展開說明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:80 @ 100mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:100nA (ICBO)
電流 - 集電極（Ic）（最大）:800mA
Email:[email protected]

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